GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
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时间:2024-05-28 08:45:25
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基本信息
| 标准名称： | 硅片径向电阻率变化的测量方法 |
| 英文名称： | Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices |
| 中标分类： | 冶金 >> 金属化学分析方法 >> 半金属及半导体材料分析方法 |
| ICS分类： | 冶金 >> 金属材料试验 >> 金属材料试验综合 |
| 替代情况： | 替代GB/T 11073-1989 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2007-12-18 |
| 实施日期： | 2008-02-01 |
| 首发日期： | 1989-03-31 |
| 作废日期： | |
| 主管部门： | 中国有色金属工业协会 |
| 提出单位： | 中国有色金属工业协会 |
| 归口单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 起草单位： | 峨嵋山半导体材料厂 |
| 起草人： | 梁洪、覃锐兵、王炎 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2008-02-01 |
| 页数： | 16页 |
| 计划单号： | 20031799-T-610 |
适用范围
本标准规定了用直排四探针法测量硅片径向电阻率变化的方法。
前言
没有内容
目录
没有内容
引用标准
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
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所属分类： 冶金 金属化学分析方法 半金属及半导体材料分析方法 冶金 金属材料试验 金属材料试验综合
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