基本信息
| 标准名称： | 压电陶瓷材料性能测试方法 电场应变特性的测试 |
| 英文名称： | Test methods of the properties for piezoelectric ceramics - Test for relation between electric field and strain |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术 >>
电子设备专用材料、零件、结构件 >>
电子技术专用材料 |
| ICS分类： |
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| 替代情况： | 替代GB/T 16304-1996 |
| 发布部门： | 中国船舶工业集团公司 |
| 发布日期： | 2008-08-04 |
| 实施日期： | 2009-02-01 |
| 首发日期： | 1996-04-25 |
| 作废日期： | |
| 主管部门： | 中国船舶工业集团公司 |
| 提出单位： | 中国船舶工业集团公司 |
| 归口单位： | 全国海洋船标准化技术委员会 |
| 起草单位： | 中国船舶重工集团公司第七一五研究所 |
| 起草人： | 余锁龙、盖学周、魏薇、汪跃群 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2009-02-01 |
| 页数： | 12页 |
| 计划单号： | 20065227-T-522 |
适用范围
本标准代替ＧＢ／Ｔ１６３０４—１９９６《压电陶瓷电场应变特性测试方法》。 本标准规定了压电陶瓷材料在外电场作用下静态和动态应变特性的测试条件、方法原理、测试步骤和测试结果的表述等。本标准适用于压电陶瓷材料电场应变特性的测试。 本标准与ＧＢ／Ｔ１６３０４—１９９６相比，主要有下列变化：
———补充了相关术语和定义；
———增加了“激光多普勒测振法”和测试原理图；
———细化了测试步骤；
———修改了附录Ａ和附录Ｂ，将其内容列入了标准正文。
前言
没有内容
目录
没有内容
引用标准
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
ＧＢ／Ｔ３３８９．１ 铁电压电陶瓷词汇
所属分类： 电子元器件与信息技术 电子设备专用材料 零件 结构件 电子技术专用材料
【英文标准名称】:StandardGuideforMeasuringWidthsofInterfacesinSputterDepthProfilingUsingSIMS
【原文标准名称】:用次级离子质谱法(SIMS)测量深度掺杂分布界面宽度标准指南
【标准号】:ASTME1438-2006
【标准状态】:现行
【国别】:
【发布日期】:2006
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:E42.06
【标准类型】:(Guide)
【标准水平】:()
【中文主题词】:半导体工艺;光谱测定法
【英文主题词】:
【摘要】:Althoughitwouldbedesirabletomeasuretheextentofprofiledistortioninanyunknownsamplebyusingastandardsampleandthisguide,measurementsofinterfacewidth(profiledistortion)canbeuniquetoeverysamplecomposition(1,2,3).3Thisguide,thatdescribesamethodthatdeterminestheuniquewidthofaparticularinterfaceforthechosensetofoperatingconditions.Itisprimarilyintendedtoprovideamethodforcheckingonproperorconsistent,orboth,instrumentperformance.Periodicanalysisofthesamesamplefollowedbyameasurementoftheinterfacewidth,inaccordancewiththisguide,willprovidethesechecks.Theproceduredescribedinthisguideisadaptabletoanylayeredsamplewithaninterfacebetweenlayersinwhichanominatedelementispresentinonelayerandabsentfromtheother.IthasbeenshownthatforSIMSinparticular(4,5)andforsurfaceanalysisingeneral(6,7),onlyrigorouscalibrationmethodscandetermineaccurateinterfacewidths.Suchproceduresareprohibitivelytime-consuming.Thereforetheinterfacewidthmeasurementobtainedusingtheproceduredescribedinthisguidemaycontainsignificantsystematicerror(8).Therefore,thismeasureofinterfacewidthmayhavenorelationtosimilarmeasuresmadewithothermethods.However,thisdoesnotdiminishitsuseasacheckonproperorconsistentinstrumentperformance,orboth.1.1ThisguideprovidestheSIMSanalystwithamethodfordeterminingthewidthofinterfacesfromSIMSsputteringdataobtainedfromanalysesoflayeredspecimens.Thisguidedoesnotapplytodataobtainedfromanalysesofspecimenswiththinmarkersorspecimenswithoutinterfacessuchasion-implantedspecimens.1.2Thisguidedoesnotdescribemethodsfortheoptimizationofinterfacewidthortheoptimizationofdepthresolution.Thisstandarddoesnotpurporttoaddressallofthesafetyconcerns,ifany,associatedwithitsuse.Itistheresponsibilityoftheuserofthisstandardtoestablishappropriatesafetyandhealthpracticesanddeterminetheapplicabilityofregulatorylimitationspriortouse.
【中国标准分类号】:A43;H80
【国际标准分类号】:29_045
【页数】:2P.;A4
【正文语种】: